以MoS₂為代表的二維半導體具有原子級厚度、無懸掛鍵表面、可調(diào)能帶結構及高遷移率等優(yōu)勢，是后摩爾時代構筑新型晶體管器件的理想溝道材料。然而，如何實現(xiàn)高效的電學接觸是實現(xiàn)二維晶體管實際應用的巨大挑戰(zhàn)?；诔Ｒ?guī)蒸鍍法的傳統(tǒng)電極制備方法，通常會引入界面無序態(tài)，轉移電極技術難以避免界面污染，都會造成金屬電極與二維半導體溝道之間的接觸電阻增大，器件性能顯著降低?；诖耍疚睦玫蜏胤兜氯A外延生長技術，在二維半導體材料上實現(xiàn)了二維金屬電極鎘的低溫可控制備，系統(tǒng)研究了二維金屬電極、電極與溝道材料之間界面的結構、性質與電學性能，構筑了高性能的二維晶體管，實現(xiàn)了二維金屬-半導體的高質量接觸。以半導體性的二維MoS?作為溝道材料，以金屬性的二維Cd作為接觸電極材料，在SiO₂/Si襯底上構筑了背柵場效應晶體管。系統(tǒng)的電學輸運性能研究表明，基于低溫條件下制備的二維Cd-MoS?晶體管展現(xiàn)了優(yōu)異的電學性能：接觸電阻低至70-100 Ω·μm，開態(tài)電流密度高達942 μA/μm，開關比超過10?，遷移率可達160 cm 2V?1 s?1。解決了二維半導體材料與傳統(tǒng)電極接觸電阻高的問題，實現(xiàn)了基于二維半導體的高性能晶體管構筑。

該論文以“2D Cd metal contacts via low-temperature van der Waals epitaxy towards high-performance 2D transistors”為題發(fā)表于國際頂級期刊?Nature Communications?。溫州大學為第一通訊單位，我院22級碩士生岳敏為第一作者?；瘜W與材料工程學院趙梅博士、王佩劍副研究員、張禮杰教授、王舜教授為共同通訊作者，相關工作得到了國家自然科學基金的支持。

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